반도체용 압력센서

           
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제품 설명

반도체용 압력센서는 실리콘 다이어프램(막)에 압력이 가해지면 발생하는 물리적 변형(휨)을 이용하여, 실리콘 내의 압저항 효과(piezoresistive effect)를 통해 저항값이 변화하는 원리를 이용합니다. 이 저항 변화를 전압 신호로 변환하여 압력 크기를 측정하며, 주로 미세전자기계시스템(MEMS) 기술로 제작되어 고감도, 소형화가 특징입니다

1. 압력 수용 (다이어프램): 압력 인입구로 기체나 액체가 들어오면 실리콘 다이어프램이 힘을 받아 물리적으로 휨(변형)이 발생합니다.
2. 압저항 효과: 다이어프램 가장자리, 즉 응력이 가장 많이 집중되는 부분에 형성된 저항체에 압력이 가해지면, 실리콘의 결정 구조 내 전자의 이동성이 바뀌어 저항값이 변합니다.
3. 전기 신호 변환: 변한 저항값을 휘스톤 브리지 회로(Wheatstone Bridge)를 통해 미세 전압 신호로 검출합니다.
4. 신호 처리: ASIC(주문형 집적회로) 회로가 이 미세한 전압 신호를 증폭하고 온도 보상을 거쳐 최종 압력 수치로 변환합니다.